[ON] NVBG150N65S3F：650V , 24A，SUPERFET? III 單 N通道功率 MOSFET 晶體管，D2PAK-7

產(chǎn)品詳情：

型號：NVBG150N65S3F

封裝：D2PAK-7

類型：MOSFET 晶體管

特性：低 RDS (ON)、低 QG 和電容

應(yīng)用：板載充電器、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

相關(guān)信息：

SUPERFET? III MOSFET 是 onsemi 的高壓超級結(jié) (SJ) MOSFET 系列，采用電荷平衡技術(shù)，具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并能承受極高的 dv/dt 率。

因此，SUPERFET III MOSFET 非常適合各種電源系統(tǒng)的小型化和高效率要求。SUPERFET III FRFET? MOSFET 優(yōu)化了體二極管的反向恢復(fù)性能，可以去除額外的元件，提高系統(tǒng)可靠性。

此外，D2PAK 7 引線封裝還提供開爾文感應(yīng)。 這不僅提高了開關(guān)速度，還使設(shè)計(jì)人員能夠減少整體應(yīng)用的占板面積。

NVBG150N65S3F 規(guī)格參數(shù)：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：24A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：150 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 540μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：45 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2170 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：192W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：D2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA

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