FDMS86200DC N 溝道 MOSFET 采用 onsemi 先進(jìn)的POWERTRENCH? 工藝生產(chǎn)，該工藝采用了屏蔽門(mén)技術(shù)。硅技術(shù)和 DUAL COOL?封裝技術(shù)相結(jié)合，提供了最低的 rDS(on)同時(shí)通過(guò)極低的結(jié)對(duì)環(huán)境熱阻，從而保持出色的開(kāi)關(guān)性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：150 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：9.3A（Ta），28A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：17 毫歐 @ 9.3A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：42 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2955 pF @ 75 V

功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），125W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：8-PQFN（5x6）

封裝/外殼：8-PowerTDFN

應(yīng)用

● 直流到直流轉(zhuǎn)換器中的初級(jí) MOSFET

● 次級(jí)同步整流器

● 負(fù)載開(kāi)關(guān)

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