明佳達電子供應STW48NM60N——高性能600V/44A功率MOSFET晶體管

深圳市明佳達電子有限公司——作為知名的電子元器件供應商，為廣大工程師和制造商提供了STMicroelectronics（意法半導體）生產(chǎn)的高性能 STW48NM60N 功率MOSFET晶體管。（產(chǎn)品圖如下）

這款采用TO-247-3封裝的器件以其出色的電氣特性和可靠性，成為多種功率轉(zhuǎn)換應用的理想選擇。下面將分點詳細介紹 STW48NM60N 的各項特點。

1. 產(chǎn)品描述詳情

STW48NM60N 是一款高性能的N溝道功率MOSFET，采用成熟的MDmesh? II技術(shù)制造。該器件采用TO-247-3通孔封裝，其設計旨在提供高效率的功率轉(zhuǎn)換和強大的電流處理能力。STW48NM60N 適用于高電壓、大電流的應用環(huán)境，其低導通電阻和優(yōu)異的開關特性使其成為開關電源、逆變器及電機驅(qū)動等應用的理想選擇。

2. 主要規(guī)格參數(shù)

電壓與電流規(guī)格：STW48NM60N 的漏源極電壓（Vdss）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時可達44A (Tc)，脈沖電流能力更高。

導通電阻：該器件在10V柵極驅(qū)動電壓和20A漏極電流條件下，最大導通電阻（Rds(on)）僅為70毫歐。其典型導通電阻甚至更低，有助于減少導通損耗。

柵極特性：STW48NM60N 的柵極閾值電壓（Vgs(th)）最大為4V @ 250μA。在10V的Vgs條件下，柵極電荷（Qg）為124nC，輸入電容（Ciss）為4285pF @ 50V。

功率耗散與封裝：該器件最大功率耗散為255W或330W (Tc)，采用標準的TO-247-3通孔封裝，便于安裝和散熱處理。

3. 產(chǎn)品特性

高頻開關性能：STW48NM60N 具有快速開關速度（典型上升時間18ns，下降時間25.5ns），適用于高頻開關電路，能有效減小變壓器和濾波器的體積。

低導通損耗：得益于其低至70毫歐的導通電阻，STW48NM60N 在導通期間的功率損耗非常小，有助于提高系統(tǒng)整體效率。

高可靠性：該器件經(jīng)過100%雪崩測試，確保了其在惡劣工作條件下的高可靠性和魯棒性。其工作結(jié)溫范圍（TJ）為-55°C 至 +150°C。

技術(shù)與封裝優(yōu)勢：采用MDmesh? II技術(shù)，STW48NM60N 實現(xiàn)了低導通電阻與低柵極電荷的良好平衡。TO-247封裝提供了優(yōu)良的散熱能力。

4. 應用領域

STW48NM60N 廣泛應用于多種功率電子設備中：

開關電源（SMPS）：適用于工業(yè)電源、通信電源和不間斷電源（UPS）系統(tǒng)，其高壓大電流特性能夠有效處理大功率電源轉(zhuǎn)換。

逆變器：非常適合于太陽能逆變器、電動汽車充電逆變器和風力發(fā)電逆變器，能將直流電高效地轉(zhuǎn)換為交流電。

電機驅(qū)動與控制：可用于工業(yè)電機驅(qū)動、電動汽車和混合動力車輛的電機驅(qū)動控制系統(tǒng)。

其他工業(yè)應用：因其堅固性和高性能，STW48NM60N 也適用于電焊機、等離子切割等其它要求嚴苛的工業(yè)應用領域。

明佳達電子供應的 STW48NM60N 功率MOSFET晶體管，以其600V的耐壓、44A的電流能力、低導通電阻和優(yōu)異的開關性能，為功率電子設計師提供了一個可靠且高效的解決方案。無論您是設計工業(yè)電源、新能源逆變器還是電機驅(qū)動系統(tǒng)，STW48NM60N 都是一個值得考慮的強大選擇。

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